Quartz Wafer အလွှာ

Quartz Wafer အလွှာ

Quartz Wafer Substrates များသည် မြင့်မားသော-သန့်စင်မှု quartz (SiO₂) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် wafers များကို semiconductors၊ optoelectronics၊ micro-electromechanical systems (MEMS)၊ optical devices နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အသုံးများသည်။

ဖေါ်ပြချက်

ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ

 

  • မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု-ယေဘူယျအားဖြင့် ဓာတု quartz (ဥပမာ၊ ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကာ) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု (99.99%) ထက်ကြီးသည် သို့မဟုတ် ညီမျှပြီး စက်ပစ္စည်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မထိခိုက်စေရန် အညစ်အကြေး အနည်းဆုံးဖြစ်သည်။
  • အပူပိုင်းတည်ငြိမ်မှု-အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုနည်းပါးသော (≈0.55×10⁻⁶/ ဒီဂရီ) နှင့် မြင့်မားသော-အပူချိန်ခံနိုင်ရည် (ပျော့ပြောင်းသည့်အချက် ~1600 ဒီဂရီ)၊ မြင့်မားသော-အပူချိန်လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။
  • Optical Performance-ကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှုအကွာအဝေး (UV to IR)၊ ထူးခြားသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ထုတ်လွှင့်မှု၊ ဓာတ်ပုံမျက်နှာဖုံးများ၊ မှန်ဘီလူးများ စသည်တို့အတွက် အကောင်းဆုံး
  • Chemical Inertness-အက်ဆစ်နှင့် အယ်ကာလီများကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း (ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်မှလွဲ၍) စိုစွတ်သော ခြစ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။
  • လျှပ်စစ်လျှပ်ကာHigh resistivity (>10¹⁶ Ω·cm)၊ insulating substrates သို့မဟုတ် high-frequency devices များအတွက် အကောင်းဆုံး။

 

အသုံးချမှု

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ရေး

- Photomask အလွှာ

- EUV lithography အစိတ်အပိုင်းများ

- Wafer လုပ်ဆောင်ခြင်း ဝန်ဆောင်မှုပေးသူများ

Photonics နှင့် Optoelectronics

- အလင်းလှိုင်းလမ်းညွှန်အလွှာ

- လေဆာဒိုင်အိုဒ တပ်ဆင်ခြင်း။

- ကွမ်တမ် ကွန်ပြူတာ အစိတ်အပိုင်းများ

အထူးပြုလျှောက်လွှာများ

- MEMS ပဲ့တင်ထပ်သည့် အခြေစိုက်စခန်းများ

- အာကာသကြည့်မှန်ပြောင်း

- မြင့်မားသော-စွမ်းအင်လေဆာစနစ်များ

 

ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်

 

  • ကုန်ကြမ်းပေါင်းစပ်မှု-အငွေ့ထွက်ခြင်း (ဥပမာ၊ SiCl₄ ဓာတ်တိုးခြင်း) သို့မဟုတ် သဘာဝ quartz ၏ သန့်စင်မှုမှတစ်ဆင့် ထုတ်လုပ်သည်။
  • အရည်ပျော်ခြင်းနှင့်ဖွဲ့စည်းခြင်း-မြင့်မားသော-အပူချိန် အရည်ပျော်ခြင်းနောက်တွင် ချောင်းများထဲသို့ အအေးခံခြင်း သို့မဟုတ် ချောင်းများအဖြစ် တိုက်ရိုက်ဆွဲခြင်းတို့ဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။
  • ဖြတ်တောက်ခြင်း-စိန်ဝိုင်ယာလွှများ သို့မဟုတ် လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းများကို အသုံးပြု၍ ပါးလွှာသော wafer များအဖြစ် လှီးဖြတ်ပါ။
  • ကြိတ်ခြင်းနှင့် ပွတ်ခြင်းဓာတုစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပွတ်တိုက်ခြင်း (CMP) သည် နာနိုမီတာ-အဆင့် ချောမွေ့မှုကို ရရှိသည်။
  • သန့်ရှင်းရေးနှင့် စစ်ဆေးရေး-အမှုန်အမွှားများနှင့် သတ္တုညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားပြီးနောက်တွင် အပြစ်အနာအဆာနှင့် ကန့်သတ်စစ်ဆေးမှုများ ပြုလုပ်သည်။

 

သတ္တိ

 

ရုပ်ဂုဏ်သတ္တိများ

တန်ဖိုးများ

သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း။

>99.99%

သိပ်သည်းမှု

2.2g/cm3

ပွင့်လင်းမြင်သာမှု

>90%

Mohs မာကျောမှု

5.5--6.5

ပုံပျက်ခြင်းအမှတ်

1280 ဒီဂရီ

ပျော့ပြောင်းပွိုင့်

1750 ဒီဂရီ

အပန်းနှိမ်မှုအမှတ်

1250 ဒီဂရီ

သတ်မှတ်ထားသော အပူ (20 - 350 ဒီဂရီ)

670J/kg ဘွဲ့

အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (20 ဒီဂရီ)

1.4W/m ဘွဲ့

အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (w/mk,1000 ဒီဂရီ)

1.0-1.2

အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်း

1.4585

Thermal Expansion ၏ Coefficient

5.510 -7စင်တီမီတာ/စင်တီမီတာ ဘွဲ့

ပူသော - အလုပ်လုပ်သည့် အပူချိန်

1750-2050 ဒီဂရီ

အတိုကောက် - ဝန်ဆောင်မှု အပူချိန်

1450 ဒီဂရီ

ရေရှည် - ဝန်ဆောင်မှု အပူချိန်

1100 ဒီဂရီ

 

ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများ

တန်ဖိုးများ

အက်ဆစ်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

ခိုင်မာသောအက်ဆစ် (HF မှလွဲ၍)၊ ပြင်းထန်သော အယ်လကာလီ၊ အော်ဂဲနစ်ဖြေရှင်းချက်

မြင့်မားသောအပူချိန် Corrosion ခံနိုင်ရည်

အရမ်းကောင်းတယ်။

သတ္တုညစ်ညမ်းမှု အကြောင်းအရာ

<5 ppm

 

လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ

တန်ဖိုးများ

ခုခံနိုင်စွမ်း

7107Ω.cm

လျှပ်ကာအင်အား

250~400Kv/cm

မီးလျှပ်စစ်အရည်အသွေးအဆင့်

3.7~3.9

ဒိုင်အလီက်ထရစ်စစ် စုပ်ယူမှု ကိုအက်ဖီရှင်စီ

<410-4

ဓာတ်မီအလျော့ဆုံးဆုံးဆန်မှုညွှန်းကိန်း

<110-4

 

စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

တန်ဖိုးများ

ဖိအားခံနိုင်ရည်

၁၁၀၀MPa

ထောင့်နှိမ့်ခံနိုင်ရည်

67MPa

ဆန့်နိုင်အား

48MPa

Poisson ၏အချိုး

0.14~0.17

Young's Modulus

၇၂၀၀၀ MPa

ချန်းနှိပ်မှုတိုက်ရိုက်မှု

၃၁၀၀၀ မီဂာပါစယ်

 

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

Q1- အများဆုံးရရှိနိုင်သော quartz wafer အလွှာအရွယ်အစားမှာ အဘယ်နည်း။

A- R&D အတွက် 450mm ရှေ့ပြေးပုံစံများဖြင့် 300mm အချင်းအထိ Standard ထုတ်လုပ်မှု။

Q2: သင်စိတ်ကြိုက်အထူပရိုဖိုင်များကို ပေးနိုင်ပါသလား။

A- ဟုတ် - ကျွန်ုပ်တို့ ထုတ်လုပ်နိုင်သည်-
- သပ်သပ်ရပ်ရပ်ရှိသော wafers (လေဆာအသုံးချမှုများအတွက်)
- တိကျ သွယ်လျသော ဒီဇိုင်းများ
- Mesa-ဖွဲ့စည်းပုံ မျက်နှာပြင်များ

Q3- မည်သည့်သန့်ရှင်းရေးပရိုတိုကောကို သင် အကြံပြုသနည်း။

A- Standard RCA သန့်ရှင်းမှု လုပ်ငန်းစဉ်-
1. အော်ဂဲနစ် ဖယ်ရှားခြင်း (H₂SO₄:H₂O₂)
2. Ionic သန့်စင်ခြင်း (HCl:H₂O₂)
3. HF-ရေအားလျှပ်စစ်မျက်နှာပြင်အတွက် နောက်ဆုံးဖြစ်သည်။

hot Tags:: quartz wafer substrate, China quartz wafer substrate ထုတ်လုပ်သူ, ပေးသွင်းသူများ, စက်ရုံ

နင်ကြိုက်ကောင်းကြိုက်လိမ့်မယ်

စျေးဝယ်အိတ်များ