
Quartz Wafer အလွှာ
Quartz Wafer Substrates များသည် မြင့်မားသော-သန့်စင်မှု quartz (SiO₂) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် wafers များကို semiconductors၊ optoelectronics၊ micro-electromechanical systems (MEMS)၊ optical devices နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အသုံးများသည်။
ဖေါ်ပြချက်
ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ
- မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု-ယေဘူယျအားဖြင့် ဓာတု quartz (ဥပမာ၊ ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကာ) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု (99.99%) ထက်ကြီးသည် သို့မဟုတ် ညီမျှပြီး စက်ပစ္စည်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မထိခိုက်စေရန် အညစ်အကြေး အနည်းဆုံးဖြစ်သည်။
- အပူပိုင်းတည်ငြိမ်မှု-အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုနည်းပါးသော (≈0.55×10⁻⁶/ ဒီဂရီ) နှင့် မြင့်မားသော-အပူချိန်ခံနိုင်ရည် (ပျော့ပြောင်းသည့်အချက် ~1600 ဒီဂရီ)၊ မြင့်မားသော-အပူချိန်လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။
- Optical Performance-ကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှုအကွာအဝေး (UV to IR)၊ ထူးခြားသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ထုတ်လွှင့်မှု၊ ဓာတ်ပုံမျက်နှာဖုံးများ၊ မှန်ဘီလူးများ စသည်တို့အတွက် အကောင်းဆုံး
- Chemical Inertness-အက်ဆစ်နှင့် အယ်ကာလီများကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း (ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်မှလွဲ၍) စိုစွတ်သော ခြစ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။
- လျှပ်စစ်လျှပ်ကာHigh resistivity (>10¹⁶ Ω·cm)၊ insulating substrates သို့မဟုတ် high-frequency devices များအတွက် အကောင်းဆုံး။
အသုံးချမှု
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ရေး
- Photomask အလွှာ
- EUV lithography အစိတ်အပိုင်းများ
- Wafer လုပ်ဆောင်ခြင်း ဝန်ဆောင်မှုပေးသူများ
Photonics နှင့် Optoelectronics
- အလင်းလှိုင်းလမ်းညွှန်အလွှာ
- လေဆာဒိုင်အိုဒ တပ်ဆင်ခြင်း။
- ကွမ်တမ် ကွန်ပြူတာ အစိတ်အပိုင်းများ
အထူးပြုလျှောက်လွှာများ
- MEMS ပဲ့တင်ထပ်သည့် အခြေစိုက်စခန်းများ
- အာကာသကြည့်မှန်ပြောင်း
- မြင့်မားသော-စွမ်းအင်လေဆာစနစ်များ
ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်
- ကုန်ကြမ်းပေါင်းစပ်မှု-အငွေ့ထွက်ခြင်း (ဥပမာ၊ SiCl₄ ဓာတ်တိုးခြင်း) သို့မဟုတ် သဘာဝ quartz ၏ သန့်စင်မှုမှတစ်ဆင့် ထုတ်လုပ်သည်။
- အရည်ပျော်ခြင်းနှင့်ဖွဲ့စည်းခြင်း-မြင့်မားသော-အပူချိန် အရည်ပျော်ခြင်းနောက်တွင် ချောင်းများထဲသို့ အအေးခံခြင်း သို့မဟုတ် ချောင်းများအဖြစ် တိုက်ရိုက်ဆွဲခြင်းတို့ဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။
- ဖြတ်တောက်ခြင်း-စိန်ဝိုင်ယာလွှများ သို့မဟုတ် လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းများကို အသုံးပြု၍ ပါးလွှာသော wafer များအဖြစ် လှီးဖြတ်ပါ။
- ကြိတ်ခြင်းနှင့် ပွတ်ခြင်းဓာတုစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပွတ်တိုက်ခြင်း (CMP) သည် နာနိုမီတာ-အဆင့် ချောမွေ့မှုကို ရရှိသည်။
- သန့်ရှင်းရေးနှင့် စစ်ဆေးရေး-အမှုန်အမွှားများနှင့် သတ္တုညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားပြီးနောက်တွင် အပြစ်အနာအဆာနှင့် ကန့်သတ်စစ်ဆေးမှုများ ပြုလုပ်သည်။
သတ္တိ
|
ရုပ်ဂုဏ်သတ္တိများ |
တန်ဖိုးများ |
|
သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း။ |
>99.99% |
|
သိပ်သည်းမှု |
2.2g/cm3 |
|
ပွင့်လင်းမြင်သာမှု |
>90% |
|
Mohs မာကျောမှု |
5.5--6.5 |
|
ပုံပျက်ခြင်းအမှတ် |
1280 ဒီဂရီ |
|
ပျော့ပြောင်းပွိုင့် |
1750 ဒီဂရီ |
|
အပန်းနှိမ်မှုအမှတ် |
1250 ဒီဂရီ |
|
သတ်မှတ်ထားသော အပူ (20 - 350 ဒီဂရီ) |
670J/kg ဘွဲ့ |
|
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (20 ဒီဂရီ) |
1.4W/m ဘွဲ့ |
|
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (w/mk,1000 ဒီဂရီ) |
1.0-1.2 |
|
အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်း |
1.4585 |
|
Thermal Expansion ၏ Coefficient |
5.510 -7စင်တီမီတာ/စင်တီမီတာ ဘွဲ့ |
|
ပူသော - အလုပ်လုပ်သည့် အပူချိန် |
1750-2050 ဒီဂရီ |
|
အတိုကောက် - ဝန်ဆောင်မှု အပူချိန် |
1450 ဒီဂရီ |
|
ရေရှည် - ဝန်ဆောင်မှု အပူချိန် |
1100 ဒီဂရီ |
|
ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများ |
တန်ဖိုးများ |
|
အက်ဆစ်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ |
ခိုင်မာသောအက်ဆစ် (HF မှလွဲ၍)၊ ပြင်းထန်သော အယ်လကာလီ၊ အော်ဂဲနစ်ဖြေရှင်းချက် |
|
မြင့်မားသောအပူချိန် Corrosion ခံနိုင်ရည် |
အရမ်းကောင်းတယ်။ |
|
သတ္တုညစ်ညမ်းမှု အကြောင်းအရာ |
<5 ppm |
|
လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ |
တန်ဖိုးများ |
|
ခုခံနိုင်စွမ်း |
7107Ω.cm |
|
လျှပ်ကာအင်အား |
250~400Kv/cm |
|
မီးလျှပ်စစ်အရည်အသွေးအဆင့် |
3.7~3.9 |
|
ဒိုင်အလီက်ထရစ်စစ် စုပ်ယူမှု ကိုအက်ဖီရှင်စီ |
<410-4 |
|
ဓာတ်မီအလျော့ဆုံးဆုံးဆန်မှုညွှန်းကိန်း |
<110-4 |
|
စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ |
တန်ဖိုးများ |
|
ဖိအားခံနိုင်ရည် |
၁၁၀၀MPa |
|
ထောင့်နှိမ့်ခံနိုင်ရည် |
67MPa |
|
ဆန့်နိုင်အား |
48MPa |
|
Poisson ၏အချိုး |
0.14~0.17 |
|
Young's Modulus |
၇၂၀၀၀ MPa |
|
ချန်းနှိပ်မှုတိုက်ရိုက်မှု |
၃၁၀၀၀ မီဂာပါစယ် |
အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ
Q1- အများဆုံးရရှိနိုင်သော quartz wafer အလွှာအရွယ်အစားမှာ အဘယ်နည်း။
A- R&D အတွက် 450mm ရှေ့ပြေးပုံစံများဖြင့် 300mm အချင်းအထိ Standard ထုတ်လုပ်မှု။
Q2: သင်စိတ်ကြိုက်အထူပရိုဖိုင်များကို ပေးနိုင်ပါသလား။
A- ဟုတ် - ကျွန်ုပ်တို့ ထုတ်လုပ်နိုင်သည်-
- သပ်သပ်ရပ်ရပ်ရှိသော wafers (လေဆာအသုံးချမှုများအတွက်)
- တိကျ သွယ်လျသော ဒီဇိုင်းများ
- Mesa-ဖွဲ့စည်းပုံ မျက်နှာပြင်များ
Q3- မည်သည့်သန့်ရှင်းရေးပရိုတိုကောကို သင် အကြံပြုသနည်း။
A- Standard RCA သန့်ရှင်းမှု လုပ်ငန်းစဉ်-
1. အော်ဂဲနစ် ဖယ်ရှားခြင်း (H₂SO₄:H₂O₂)
2. Ionic သန့်စင်ခြင်း (HCl:H₂O₂)
3. HF-ရေအားလျှပ်စစ်မျက်နှာပြင်အတွက် နောက်ဆုံးဖြစ်သည်။
hot Tags:: quartz wafer substrate, China quartz wafer substrate ထုတ်လုပ်သူ, ပေးသွင်းသူများ, စက်ရုံ
စုံစမ်းစစ်ဆေးရေး Send
နင်ကြိုက်ကောင်းကြိုက်လိမ့်မယ်







